PL-DFB-777 - 777 нм DFB лазерный диод

PL-DFB-777 - серия DFB лазерных диодов в корпусе 14-pin "бабочка" с центральной длиной волны 777 нм.
  • Центральная длина волны 777 нм.
  • Ширина спектральной линии <2 МГц.
  • Выходная мощность до 50 мВт.
  • Корпус 14-pin "бабочка".
  • Тип волокна SM, PM.
Производитель:  LD-PD

DFB лазерные диоды серии PL-DFB-777 представляют собой источники когерентного излучения с центральной длиной волны 777 нм. DFB чип лазерного диода упакован в стандартный герметичный корпус 14-pin "бабочка" со встроенными TEC и PD.

Особенности:

  • Узкая ширина спектральной линии <2 МГц.
  • Превосходный контроль длины волны и высокая стабильность.
  • Возможность регулировки длины волны без скачков мод.
  • Высокая надежность.

Спектр:

PL-DFB-777 - 777 нм DFB лазерный диод.jpg

Ширина спектральной линии DFB ЛД:

PL-DFB-777 - 777 нм DFB лазерный диод2.jpg

График зависимости выходной мощности от тока:

PL-DFB-777 - 777 нм DFB лазерный диод3.jpg



Параметр Мин. Тип. Макс. Ед. измерения
Электрические/оптические характеристики
Центральная длина волны
776 777 778 нм
SMSR
30 40 - дБ
Пороговый ток
- 45 50 мА
Рабочий ток
- 150 250 мА
Выходная мощность
20 35 50 мВт
Квантовая эффективность
0,08 0,12 - мВт/мА
Коэффициент перестройки током
- 0,015 - нм/мА
Коэффициент перестройки температурой
- 0,12 - нм/К
Прямое напряжение
- 1,3 2 В
Сопротивление термистора
9,5 10 10,5 кОм
Температурный коэффициент термистора
- -4,4 - %/°С
Тип волокна
SM, PM -
Коннекторы
FC/APC -
Абсолютные предельные значения
Температура корпуса
-5 +25 +70 °С
Температура чипа
+10 +25
+40
°С
Рабочий ток
0 40 50 мА
Прямое напряжение
0,8 1,2 2,1 В
Ток TEC
- 1,2 1,2 А
Обратное напряжение (ЛД)
- - 2 В
Обратное напряжение (ФД)
- - 20 В

  • Диодно-лазерная абсорбционная спектроскопия (TDLAS).
  • Охлаждение атомов.

Модель Описание
PL-DFB-0777-A-A81-PA DFB лазерный диод, PM, 777 нм, 30 мВт, FC/APC
PL-DFB-0777-A-A81-SA DFB лазерный диод, SM, 777 нм, 30 мВт, FC/APC
Назад к разделу

Мой заказ