ГлавнаяКаталогЛазерные диоды. Диоды накачки. ДрайверыЛазерные диоды с распределенной обратной связью (DFB)DFB лазерные диоды, 760 - 976 нмPL-DFB-780 - 780 нм DFB лазерный диод
PL-DFB-780 - 780 нм DFB лазерный диод
PL-DFB-780 - серия DFB лазерных диодов в корпусе 14-pin "бабочка" с центральной длиной волны 780 нм с изолятором.
- Центральная длина волны 780 нм.
- Ширина спектральной линии <2 МГц.
- Выходная мощность до 10 мВт.
- Корпус 14-pin "бабочка".
- Тип волокна PM.
Производитель: LD-PD
DFB лазерные диоды серии PL-DFB-780 представляют собой источники когерентного излучения с центральной длиной волны 780 нм. DFB чип лазерного диода упакован в стандартный герметичный корпус 14-pin "бабочка" со встроенными TEC и PD.
Особенности:
- Узкая ширина спектральной линии <2 МГц.
- Превосходный контроль длины волны и высокая стабильность.
- Возможность регулировки длины волны без скачков мод.
- Высокая надежность.
Спектр:
Перестроечная характеристика:
Ширина спектральной линии DFB ЛД:
График зависимости выходной мощности от тока:
Диапазон перестройки без скачков мод:
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|
|
Электрические/оптические характеристики
|
||||
|
Центральная длина волны
|
779,5 | 780 | 780,5 | нм |
|
SMSR
|
- | 45 | 51 | дБ |
|
Пороговый ток
|
26 | 28 | - | мА |
|
Рабочий ток
|
- | 100 | 120 | мА |
|
Выходная мощность
|
- | 8 | 10 | мВт |
|
Квантовая эффективность
|
0,01 | - | 0,15 | мВт/мА |
|
Коэффициент перестройки током
|
- | 0,005 | - | нм/мА |
|
Коэффициент перестройки температурой
|
- | 0,05 | - | нм/К |
|
Прямое напряжение
|
- | 2,1 | 3 | В |
|
Сопротивление термистора
|
9,5 | 10 | 10,5 | кОм |
|
Ток TEC
|
- | - | 1 | А |
|
Напряжение TEC |
- | - | 3,3 | В |
|
Тип волокна
|
PM | - | ||
|
Коннекторы
|
FC/APC | - | ||
|
Абсолютные предельные значения
|
||||
|
Температура корпуса
|
-5 | +25 | +70 |
°С |
|
Температура чипа
|
+10 |
+25 |
+40 |
°С |
|
Рабочий ток
|
0 | 150 | 250 | мА |
|
Прямое напряжение
|
0,8 | 1,2 | 2,1 | В |
|
Ток TEC
|
- | 1,2 | 1,2 | А |
|
Обратное напряжение (ЛД)
|
- | - | 2 | В |
|
Обратное напряжение (ФД) |
- | - | 20 | В |
- Диодно-лазерная абсорбционная спектроскопия (TDLAS)
- Охлаждение атомов.
PL-DFB-780 - 780 нм DFB лазерный диод 887.45(Kб)
Мой заказ