ГлавнаяКаталогЛазерные диоды. Диоды накачки. ДрайверыЛазерные диоды с распределенной обратной связью (DFB)DFB лазерные диоды, 760 - 976 нмPL-DFB-850 - 850 нм DFB лазерный диод
PL-DFB-850 - 850 нм DFB лазерный диод
Серия DFB лазерных диодов PL-DFB-850 в корпусе 14-pin "бабочка" с центральной длиной волны 850 нм.
- Узкая ширина спектральной линии < 2 МГц
- Выходная мощность до 30 мВт
- Тип волокна SM, PM
- Превосходный контроль длины волны и высокая стабильность
- Возможность регулировки длины волны без скачков мод
- Высокая надежность
Производитель: LD-PD
Серия DFB лазерных диодов PL-DFB-850 от LD-PD с центральной длиной волны 850 нм. DFB чип лазерного диода упакован в стандартный герметичный корпус 14-pin "бабочка" со встроенными TEC и PD.
Спектр:
Параметры перестройки:
Ширина спектральной линии DFB ЛД:
График зависимости выходной мощности от тока:
Качество пучка (3D):
Габариты:
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|
| Центральная длина волы | 849,5 | 850 | 850,5 | нм |
| SMSR | 30 | 40 | - | дБ |
| Пороговый ток | - | 20 | 30 | мА |
| Рабочий ток | - | 80 | 120 | мА |
| Выходная мощность | 4 | 20 | 30 | мВт |
|
Квантовая эффективность |
0,08 | 0,12 | - | мВт/мА |
| Коэффициент перестройки током | - | 0,015 | - | нм/мА |
| Коэффициент перестройки температурой | - | 0,12 | - | нм/К |
|
Прямое напряжение |
- | 1,3 | 2 | В |
|
Сопротивление термистора |
9,5 | 10 | 10,5 | кОм |
| Температурный коэффициент термистора | - | -4,4 | - | %/С |
| Тип волокна | SM, PM | - | ||
| Ток TEC | - | - | 1,2 | А |
- Диодно-лазерная абсорбционная спектроскопия (TDLAS)
- Задающий источник
- Волоконный лазер
PL-DFB-850 - 850 нм DFB лазерный диод 1057.11(Kб)
Мой заказ