PL-NL-762-PZT - 762 нм одночастотный перестраиваемый лазерный диод
- Центральная длина волны 762 нм.
- Выходная оптическая мощность до 20 мВт.
- Ширина спектральной линии 1 МГц.
- Корпус 14-pin "бабочка".
- Тип волокна SM, PM.
ECL лазерные диоды серии PL-NL-762-PZT представляют собой одночастотные лазерные диодные модули, предназначенные для оптических измерений и связи. Лазер на волоконной брэгговской решетке упакован в стандартный корпус 14-pin "бабочка" со встроенными контрольным фотодиодом и термоэлектрическим охладителем (TEC). Диапазон одночастотной непрерывной настройки: > 1,2 нм за счет регулировки мини-ПЭП, встроенного в лазерный диод.
Особенности:
- Выходная оптическая мощность: 20 мВт.
- Узкая ширина спектральной линии (Δν < 1 МГц).
- Центральная длина волны: 762 нм при 25 ℃.
- Волокно типа SM или PM (ø0,9 мм).
- Коннектор FC-APC.
- Корпус 14-pin "бабочка".
- Встроенные контрольный фотодиод и TEC.
- Низкое энергопотребление.
Рисунок 1. Спектр
Рисунок 2. График зависимости выходной мощности и напряжения от тока
Рисунок 3. Ширина спектральной линии
Рисунок 4. Зависимость напряжения от длины волны (с ПЭП)
Рисунок 5. Рабочая структура
Рисунок 6. Качество пучка (M2,2D,3D)
Оптические характеристики (при температуре лазера 25°C):
Параметр |
Обозначение |
Условия |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. измерения |
---|---|---|---|---|---|---|
Центральная длина волны | λc | TL=15-35℃, непрерывное излучение | 761 | 762 | 763 |
нм |
Пиковая выходная оптическая мощность | PO |
|
10 |
|
30 | мВт |
Ширина спектральной линии | LW |
|
|
1 | 10 | МГц |
SMSR | SMSR | непрерывное излучение | 40 | 45 |
|
дБ |
Оптическая изоляция | -10 < TC < +70 ºC | 30 |
|
|
дБ | |
Коэффициент поляризационной экстинкции | ER |
|
20 |
|
|
дБ |
Относительная интенсивность шума | RIN | непрерывное излучение, 10 мВт |
|
|
-145 | дБ/Гц |
Отклонение длины волны в зависимости от температуры корпуса (от -10 до 70 ºC) |
△λ | TL=15-35℃ |
|
|
±30 |
пм |
Температурный коэффициент длины волны | Δλ/ΔT | TL=15-35℃ |
|
60 | 80 |
пм/°C |
Коэффициент тока длины волны | Δλ/ΔΙ |
|
|
1,5 | 2 | пм/мА |
Электрические характеристики (при температуре лазера 25°C):
Параметр |
Обозначение |
Условия |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. измерения |
---|---|---|---|---|---|---|
Пороговый ток | ITH |
|
|
45 | 65 | мА |
Дифференциальная эффективность | ƞ | непрерывное излучение, 10 мВт | 0,064 | 0,1 |
|
мВт/мА |
Рабочий ток | Iop | непрерывное излучение |
|
150 | 200 | мА |
Заданная температура ТЕС | Ts |
|
15 |
|
35 | °C |
Прямое напряжение лазера | VF |
непрерывное излучение, выходная мощность 5 мВт |
|
1,3 | 1,8 | В |
Темновой ток | ID |
|
|
|
0,1 | мкА |
Напряжение охладителя | Vc | IF=EOL, TC=70°C |
|
|
2,7 | В |
Ток охладителя | Ic | IF=EOL, TC=70°C |
|
|
1,4 | А |
Сопротивление термистора | RTH | TL = 25 °C | 9,5 | 10 | 10,5 | кОм |
Ток TEC | ITEC | TL = 25°C, TC = 70°C |
|
|
1,8 | А |
Напряжение TEC | VTEC | TL = 25°C, TC = 70°C |
|
|
3,5 | В |
Диапазон настройки | Δf |
|
1 |
|
1,5 | нм |
Управляющее напряжение ПЭП | VT |
|
0 |
|
150 | В |
Диапазон без скачков мод | ΔI |
|
|
3 |
|
мА |
Коэффициент экстинкции | XP | непрерывное излучение, 10 мВт | 17 |
|
|
дБ |
Ёмкость TEC | ΔT | TC = 70 °C |
|
|
50 | °C |
Температура термистора |
|
|
|
|
100 | °C |
Абсолютные максимальные значения:
Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
---|---|---|---|---|
Температура корпуса |
-40 | 25 | 70 | ℃ |
Температура чипа | +10 | 25 | 40 | ℃ |
Рабочий ток | 0 | 150 | 170 | мА |
Прямое напряжение | 0,8 | 1,2 | 1,8 | В |
Ток TEС |
|
1,2 | 1,4 | А |
Обратное напряжение (LD) |
|
|
1,8 |
В |
- Эксперименты с лазерной интерференцией.
- Приемная часть магистрального транспортного оборудования DWDM.
- Оптические испытания и контрольно-измерительные приборы.
- Микроволновая фотоника.
- Сети кабельного телевидения.
- Сенсоры.