ГлавнаяКаталогЛазерные диоды. Диоды накачки. ДрайверыЛазерные диоды с внешним резонатором (ECL)ECL лазерные диоды, 760 – 895 нмPL-NL-770 - 770 нм лазерный диод с узкой шириной линии
PL-NL-770 - 770 нм лазерный диод с узкой шириной линии
PL-NL-770 - серия ECL лазерных диодов в корпусе 14-pin "бабочка" с центральной длиной волны 770 нм.
- Центральная длина волны 770 нм.
- Выходная оптическая мощность до 20 мВт.
- Ширина спектральной линии 1 МГц.
- Корпус 14-pin "бабочка".
- Тип волокна SM, PM.
Производитель: LD-PD
ECL лазерные диоды серии PL-NL-770 представляют собой одночастотные лазерные диодные модули, предназначенные для оптических измерений и связи. Лазер на волоконной брэгговской решетке упакован в стандартный корпус 14-pin "бабочка" со встроенными контрольным фотодиодом и термоэлектрическим охладителем (TEC).
Особенности:
- Выходная оптическая мощность: 20 мВт.
- Узкая ширина спектральной линии (Δν < 1 МГц).
- Центральная длина волны: 770 нм при 25 ℃.
- Волокно типа SM или PM (ø0,9 мм).
- Коннектор FC-APC.
- Корпус 14-pin "бабочка".
- Встроенные контрольный фотодиод и TEC.
- Низкое энергопотребление.
Рисунок 1. Спектр
Рисунок 2. График зависимости выходной мощности и напряжения от тока
Оптические характеристики (при температуре лазера 25°C):
|
Параметр |
Обозначение |
Условия |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Центральная длина волны | λc | TL=15-35℃, непрерывное излучение | 769 | 770 | 771 |
нм |
| Пиковая выходная оптическая мощность | PO |
|
|
10 | 20 | мВт |
| Ширина спектральной линии | LW |
|
|
1 | 10 | МГц |
| SMSR | SMSR | непрерывное излучение | 30 | 40 |
|
дБ |
| Оптическая изоляция | -10 < TC < +70 ºC | 30 |
|
|
дБ | |
| Коэффициент поляризационной экстинкции | ER |
|
20 |
|
|
дБ |
| Относительная интенсивность шума | RIN |
непрерывное излучение, выходная мощность 5 мВт |
|
|
-135 | дБ/Гц |
|
Отклонение длины волны в зависимости от температуры корпуса (от -10 до 70 ºC) |
△λ | TL=15-35℃ |
|
|
±30 |
пм |
| Температурный коэффициент длины волны | Δλ/ΔT | TL=15-35℃ |
|
65 | 80 |
пм/°C |
| Коэффициент тока длины волны | Δλ/ΔΙ |
|
|
1,0 | 2 | пм/мА |
Электрические характеристики (при температуре лазера 25°C):
|
Параметр |
Обозначение |
Условия |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Пороговый ток | ITH |
|
|
45 | 65 | мА |
| Рабочий ток | Iop | непрерывное излучение |
|
100 | 150 | мА |
| Заданная температура ТЕС | Ts |
|
15 |
|
35 | °C |
| Прямое напряжение лазера | VF |
непрерывное излучение, выходная мощность 15 мВт |
|
1,3 | 2,5 | В |
| Темновой ток | ID | Pf=15 мВт, VRD=5 В |
|
|
0,1 | мкА |
| Ток термистора | ITC |
|
10 |
|
100 | мкА |
| Сопротивление термистора | RTH | TLD=25°C, B=3900±100K | 9,5 | 10 | 10,5 | кОм |
| Ток TEC | ITEC | IF=EOL, TC=70°C |
|
|
1,4 | А |
| Напряжение TEC | VTEC | IF=EOL, TC=70°C |
|
|
2,8 | В |
Абсолютные максимальные значения:
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|
|
Температура корпуса |
-40 | 25 | 70 | ℃ |
| Температура чипа | +10 | 25 | 40 | ℃ |
| Рабочий ток | 0 | 150 | 170 | мА |
| Прямое напряжение | 0,8 | 1,2 | 1,8 | В |
| Ток TEС |
|
1,2 | 1,4 | А |
| Обратное напряжение (LD) |
|
|
1,8 |
В |
- Эксперименты с лазерной интерференцией.
- Приемная часть магистрального транспортного оборудования DWDM.
- Оптические испытания и контрольно-измерительные приборы.
- Микроволновая фотоника.
- Сети кабельного телевидения.
- Сенсоры.
Мой заказ