PL-NL-770-PZT - 770 нм одночастотный перестраиваемый лазерный диод
- Центральная длина волны 770 нм.
- Выходная оптическая мощность до 30 мВт.
- Ширина спектральной линии 1 МГц.
- Корпус 14-pin "бабочка" или 14-pin DIL.
- Тип волокна SM, PM.
ECL лазерные диоды серии PL-NL-770-PZT представляют собой одночастотные лазерные диодные модули, предназначенные для оптических измерений и связи. Лазер на волоконной брэгговской решетке упакован в стандартный корпус 14-pin "бабочка" со встроенными контрольным фотодиодом и термоэлектрическим охладителем (TEC). Диапазон одночастотной непрерывной настройки: > 1,2 нм за счет регулировки мини-ПЭП, встроенного в лазерный диод.
Особенности:
- Выходная оптическая мощность: 30 мВт.
- Узкая ширина спектральной линии (Δν < 1 МГц).
- Центральная длина волны: 770 нм при 25 ℃.
- Перестраиваемая длина волны.
- Одночастотный режим работы.
- Одномодовое волокно с волоконной брэгговской решеткой (ВБР).
- Диапазон одночастотной непрерывной настройки: >0,5 нм.
- Номинальная длина волны: 630 - 1650 нм.
- Герметичный корпус 14-pin "бабочка" или 14-pin DIL.
- Встроенные контрольный фотодиод, термистор, TEC.
Рисунок 1. Спектр
Рисунок 2. График зависимости выходной мощности и напряжения от тока
Рисунок 3. Ширина спектральной линии
Рисунок 4. Зависимость напряжения от длины волны (с ПЭП)
Рисунок 5. Рабочая структура
Оптические характеристики (при температуре лазера 25°C):
Параметр |
Обозначение |
Условия |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. измерения |
---|---|---|---|---|---|---|
Центральная длина волны | λc | TL=15-35℃, непрерывное излучение | 769 | 770 | 771 |
нм |
Пиковая выходная оптическая мощность | PO |
|
10 | 15 | 25 | мВт |
Ширина спектральной линии | LW |
|
|
1 | 10 | МГц |
SMSR | SMSR | непрерывное излучение | 40 | 45 |
|
дБ |
Оптическая изоляция | -10 < TC < +70 ºC | 30 |
|
|
дБ | |
Коэффициент поляризационной экстинкции | ER |
|
20 |
|
|
дБ |
Относительная интенсивность шума | RIN | непрерывное излучение, 10 мВт |
|
|
-145 | дБ/Гц |
Отклонение длины волны в зависимости от температуры корпуса (от -10 до 70 ºC) |
△λ | TL=15-35℃ |
|
|
±30 |
пм |
Электрические характеристики (при температуре лазера 25°C):
Параметр |
Обозначение |
Условия |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. измерения |
---|---|---|---|---|---|---|
Пороговый ток | ITH |
|
|
45 | 65 | мА |
Дифференциальная эффективность | ƞ | непрерывное излучение, 10 мВт | 0,064 | 0,1 |
|
мВт/мА |
Рабочий ток | Iop | непрерывное излучение |
|
150 | 200 | мА |
Заданная температура ТЕС | Ts |
|
15 |
|
35 | °C |
Прямое напряжение лазера | VF |
непрерывное излучение, выходная мощность 5 мВт |
|
1,3 | 1,8 | В |
Темновой ток | ID |
|
|
|
0,1 | мкА |
Напряжение охладителя | Vc | IF=EOL, TC=70°C |
|
|
2,7 | В |
Ток охладителя | Ic | IF=EOL, TC=70°C |
|
|
1,4 | А |
Сопротивление термистора | RTH | TL = 25 °C | 9,5 | 10 | 10,5 | кОм |
Ток TEC | ITEC | TL = 25°C, TC = 70°C |
|
|
1,8 | А |
Напряжение TEC | VTEC | TL = 25°C, TC = 70°C |
|
|
3,5 | В |
Диапазон настройки | Δf |
|
1 |
|
1,5 | нм |
Управляющее напряжение ПЭП | VT |
|
0 |
|
150 | В |
Диапазон без скачков мод | ΔI |
|
|
3 |
|
мА |
Коэффициент экстинкции | XP | непрерывное излучение, 10 мВт | 17 |
|
|
дБ |
Ёмкость TEC | ΔT | TC = 70 °C |
|
|
50 | °C |
Температура термистора |
|
|
|
|
100 | °C |
Абсолютные максимальные значения:
Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
---|---|---|---|---|
Температура корпуса |
-5 | 25 | 70 | ℃ |
Температура чипа | +10 | 25 | 40 | ℃ |
Рабочий ток | 0 | 150 | 200 | мА |
Прямое напряжение | 0,8 | 1,2 | 1,8 | В |
Ток TEС |
|
1,2 | 1,4 | А |
Обратное напряжение (LD) |
|
|
1,8 |
В |
- Эксперименты с лазерной интерференцией.
- Приемная часть магистрального транспортного оборудования DWDM.
- Оптические испытания и контрольно-измерительные приборы.
- Микроволновая фотоника.
- Сети кабельного телевидения.
- Сенсоры.