ГлавнаяКаталогЛазерные диоды. Диоды накачки. ДрайверыЛазерные диоды с внешним резонатором (ECL)ECL лазерные диоды, 760 – 895 нмPL-NL-775 - 775 нм лазерный диод с узкой шириной линии
PL-NL-775 - 775 нм лазерный диод с узкой шириной линии
PL-NL-775 - серия ECL лазерных диодов в корпусе 14-pin "бабочка" с центральной длиной волны 775 нм.
- Центральная длина волны 775 нм.
- Выходная оптическая мощность до 30 мВт.
- Ширина спектральной линии 1 МГц.
- Корпус 14-pin "бабочка".
- Тип волокна SM, PM.
Производитель: LD-PD
ECL лазерные диоды серии PL-NL-775 представляют собой одночастотные лазерные диодные модули, предназначенные для оптических измерений и связи. Лазер на волоконной брэгговской решетке упакован в стандартный корпус 14-pin "бабочка" со встроенными контрольным фотодиодом и термоэлектрическим охладителем (TEC).
Особенности:
- Выходная оптическая мощность: 30 мВт.
- Узкая ширина спектральной линии (Δν < 1 МГц).
- Центральная длина волны: 775 нм при 25 ℃.
- Волокно типа SM или PM (ø0,9 мм).
- Коннектор FC-APC.
- Корпус 14-pin "бабочка".
- Встроенные контрольный фотодиод и TEC.
- Низкое энергопотребление.
Рисунок 1. Спектр
Рисунок 2. График зависимости выходной мощности и напряжения от тока
Рисунок 3. Стабильность длины волны
Рисунок 4. Качество пучка (M2,2D,3D)
Оптические характеристики (при температуре лазера 25°C):
Параметр |
Обозначение |
Условия |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. измерения |
---|---|---|---|---|---|---|
Центральная длина волны | λc | TL=15-35℃, непрерывное излучение | 770 | 775 | 780 |
нм |
Пиковая выходная оптическая мощность | PO |
|
|
20 | 30 | мВт |
Ширина спектральной линии | LW |
|
|
1 | 10 | МГц |
SMSR | SMSR | непрерывное излучение | 40 | 50 |
|
дБ |
Коэффициент поляризационной экстинкции | ER |
|
20 |
|
|
дБ |
Относительная интенсивность шума | RIN |
|
|
-145 | дБ/Гц | |
Отклонение длины волны в зависимости от температуры корпуса (от -10 до 70 ºC) |
△λ | TL=15-35℃ |
|
|
±1 |
пм |
Температурный коэффициент длины волны | Δλ/ΔT | TL=15-35℃ |
|
100 |
|
пм/°C |
Коэффициент тока длины волны | Δλ/ΔΙ |
|
|
1 |
|
пм/мА |
Диапазон без скачков мод | ΔI |
|
|
3 | мА |
Электрические характеристики (при температуре лазера 25°C):
Параметр |
Обозначение |
Условия |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Ед. измерения |
---|---|---|---|---|---|---|
Пороговый ток | ITH |
|
|
40 |
|
мА |
Рабочий ток | Iop | непрерывное излучение |
|
60 | 90 | мА |
Заданная температура ТЕС | Ts |
|
15 |
|
35 | °C |
Прямое напряжение лазера | VF |
непрерывное излучение, выходная мощность 5 мВт |
|
1,3 | 2,5 | В |
Темновой ток | ID | Pf=5 мВт, VRD=5 В |
|
|
0,1 | мкА |
Ток термистора | ITC |
|
10 |
|
100 | мкА |
Сопротивление термистора | RTH | TLD=25°C, B=3900±100K | 9,5 | 10 | 10,5 | кОм |
Ток TEC | ITEC | IF=EOL, TC=70°C |
|
|
1,2 | А |
Напряжение TEC | VTEC | IF=EOL, TC=70°C |
|
|
2,4 | В |
Абсолютные максимальные значения:
Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
---|---|---|---|---|
Температура корпуса |
-5 | 25 | 70 | ℃ |
Температура чипа | +10 | 25 | 40 | ℃ |
Рабочий ток | 0 | 60 | 90 | мА |
Прямое напряжение | 0,8 | 1,2 | 1,8 | В |
Ток TEС |
|
1,2 | 1,4 | А |
Обратное напряжение (LD) |
|
|
1,8 |
В |
- Эксперименты с лазерной интерференцией.
- Оптические испытания и контрольно-измерительные приборы.
- Сенсоры.