S2P-UHS-iN3D - высокоскоростная фемтосекундная система 3D-нанопечати для масштабирования производства
- Опциональная многофокусная параллельная обработка до 100 точек.
- Опциональная сверхвысокоскоростная обработка: скорость в одной точке выше в 10–200 раз.
- Автофокусировка с погрешностью позиционирования ≤ 30 нм.
- Опциональное конфокальное измерение 3D-топографии.
- Опциональная стабилизация энергии лазера.
S2P-UHS-iN3D — сверхвысокоскоростная интегрированная система 3D-нанообработки на основе многофотонной полимеризации (МФП). Собственные запатентованные технологии значительно повышают производительность, снимают ограничения по скорости, характерные для многофотонной полимеризации, и обеспечивают точную обработку в разных масштабах.
Минимальный размер элемента составляет 50 нм, шероховатость поверхности — 10 нм, обработка выполняется без сшивки полей, а опциональный двухлучевой модуль STED повышает точность до уровня менее 50 нм. Несколько систем стабилизации обеспечивают длительную стабильную работу без обслуживания, а модульная оптомеханическая конструкция дает гибкость в настройке и возможность расширять функциональность.
Система является новым решением для высокоточной 3D-обработки как в научных исследованиях, так и в промышленности. Она применяется для изготовления микрооптических устройств, микрофлюидных чипов, микромеханических элементов, метаматериалов, микро- и наносенсоров, для интеграции фотонных чипов и оптической защиты от подделок.
Особенности:
- Минимальный размер элемента ≤ 50 нм, шероховатость поверхности ≤ 10 нм, обработка без сшивки полей.
- Позиционирование и совмещение с нанометровой точностью, двухлучевая STED-обработка.
- Модуль сверхвысокоскоростной обработки на основе собственной запатентованной технологии.
- Синхронная (асинхронная) многофокусная параллельная обработка, высокоскоростная воксельная модуляция.
- Поддержание постоянной температуры и влажности, самокалибрующаяся система стабилизации, многоуровневая виброизоляция.
- Автоматическое планирование и интеллектуальная оптимизация процесса, графический язык программирования, предварительный просмотр, поддержка разных форматов файлов.
- Профессиональный и интеллектуальный режимы работы, полностью автоматическое визуальное управление процессом.
| Параметр | Значение | Ед. измерения |
|---|---|---|
| Рабочие характеристики | ||
| Минимальный размер элемента | 50* | нм |
| Сетка адресации 3D | 20–20000 | нм |
| Шероховатость поверхности Ra (фоторезист) | 10* | нм |
| Подложки | Стекло, кремний, SiP, SOI, SiN, InP и др. | – |
| Максимальное поле записи | (F/M) × 80 %, где F — номер поля (field number) объектива, M — его увеличение | мм |
| Функциональные системы | ||
| Лазер | Длина волны 515 / 780; мощность ≥ 5 / 1; частота следования импульсов ≥ 80; длительность импульса ≤ 200 (возможно исполнение под заказ) | нм / Вт / МГц / фс |
| Высокоточные столики | На аэростатических подшипниках или механические; диапазон перемещения > 200 × 200 (возможно исполнение под заказ); точность позиционирования по энкодеру 1 | мм / нм |
| Многоуровневая система виброизоляции | Собственная многоуровневая система изолирует установку от внешних низко- и высокочастотных вибраций и обеспечивает стабильность процесса обработки | – |
| Система автофокусировки | Автоматическое определение границы раздела между фоторезистом и подложкой, погрешность позиционирования ≤ 30 | нм |
| Система визуализации высокой четкости | Несколько режимов освещения; визуализация и контроль процесса в реальном времени для прозрачных и непрозрачных материалов | – |
| Система полностью автоматического управления и автокалибровки | Автоматическая калибровка положения обработки для обеспечения точности | – |
| Программное обеспечение | Полностью автоматизированная система управления , удобный интерфейс, оптимизация для промышленного производства | – |
| Обрабатываемые материалы | Фоторезисты и фотополимерные смолы: гибридные органо-неорганические, эпоксидные негативные, позитивные и другие специализированные фоторезисты | – |
| Опциональные модули | ||
| Конфокальная сканирующая система # | Измерение 3D-топографии, разрешение позиционирования ≤ 30 | нм |
| Система флуоресцентной детекции # | Флуоресцентная детекция образца, погрешность повторного позиционирования (СКО) ≤ 30 | нм |
| Модуль сверхвысокоскоростной обработки # | Собственный модуль и технологическая платформа сверхвысокоскоростной обработки снимают ограничения по скорости и точности традиционного сканирования по траектории; скорость обработки в одной точке возрастает в 10–200 раз | – |
| Бесконечное поле записи # | Размер области записи не ограничен полем зрения объектива, обработка без сшивки | – |
| Система формирования фокального пятна # | Встроенные аппаратные и программные средства для формирования пучка и специальных профилей | – |
| Многофокусная параллельная обработка # | Автоматическая оптимизация и генерация до 100 точек для одновременной обработки | – |
| Система управления поляризацией # | Гибкое переключение между состояниями поляризации и направлениями линейной поляризации пучка | – |
| Система стабилизации энергии лазера # | Автоматическая компенсация колебаний энергии лазера для поддержания постоянной энергии в процессе обработки | – |
| Автоматическое переключение режимов # | Плавное переключение между режимами с разной скоростью и точностью обработки | – |
| Система высокоскоростной воксельной модуляции # | Точное управление энергией лазера для регулировки размера вокселя; повышение производительности и получение сверхгладкой поверхности | – |
| Модуль многоканальной независимой обработки # | Параллельная многоканальная обработка для синхронного изготовления сложных 3D-структур | – |
| Двухлучевой модуль STED # | Точность обработки < 50 | нм |
| Система нанесения фоторезиста in situ # | Точное дозированное нанесение и обновление фоторезиста на месте обработки | – |
| Модуль автоматического проявления # | Интеллектуальное управление жидкостями для полной автоматизации процесса | – |
| Система термостабилизации # | Колебания внутренней температуры не более ± 0,1 | °C |
| Сменные объективы # | 10× / 20× / 25× / 40× / 60× / 100×, большое рабочее расстояние и высокая числовая апертура | – |
| Габариты и масса ** | ||
| Размеры (Д × Ш × В) | ≤ 1800 × 1600 × 2000 | мм |
| Масса | ≤ 2000 | кг |
| Требования к установке | ||
| Электропитание | 220 / 10 / 50 | В / А / Гц |
| Сжатый воздух | 6–8, стабильность ± 0,5 | бар |
| Освещение помещения | Желтое | – |
* Значения могут отличаться в зависимости от фоторезиста, объектива и изготавливаемой структуры.
** Параметры могут меняться в зависимости от конкретной комплектации оборудования.
# Опциональные модули.
- Микрооптические устройства.
- Микрофлюидные чипы.
- Микромеханика.
- Метаматериалы.
- Микро- и наносенсоры.
- Интеграция фотонных чипов.
- Оптическая защита от подделок.



