ГлавнаяКаталогЛазерные диоды. Диоды накачки. ДрайверыЛазерные диоды с резонатором Фабри-ПероЛазерные диоды Фабри-Перо ИК-диапазона, 785 - 1750 нмPL-HP-FP-1310-FBG - 1310 нм высокомощный FP лазерный диод с ВБР
PL-HP-FP-1310-FBG - 1310 нм высокомощный FP лазерный диод с ВБР
PL-HP-FP-1310-FBG - серия высокомощных лазерных диодов Фабри-Перо с ВБР в корпусе 14-pin "бабочка" с центральной длиной волны 1310 нм.
- Центральная длина волны 1310 нм.
- Ширина спектра 0,3 нм.
- Выходная мощность до 300 мВт.
- Корпус 14-pin "бабочка".
- Тип волокна SM, PM.
Производитель: LD-PD
Высокомощные лазерные диоды Фабри-Перо серии PL-HP-FP-1310-FBG представляют собой источники когерентного излучения с центральной длиной волны 1310 нм, отлично подходящие для оптических измерений и коммуникаций. Лазерные диоды упакованы в стандартный герметичный корпус 14-pin "бабочка" со встроенными TEC и PD.
В ЛД серии PL-HP-FP-1310-FBG имеется встроенная ВБР для стабилизации длины волны излучения, которая обеспечивает свободный от шума узкополосный спектр даже при изменении температуры, управляющего тока и оптической обратной связи.
Особенности:
- Оптическая выходная мощность до 300 мВт.
- Встроенная ВБР.
- Коннектор FC/APC.
- Корпус 14-pin «бабочка».
- Непрерывный или импульсный режим работы.
- Встроенные фотодиод и TEC.
- SM или PM волокно.
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|
|
Электрические/оптические характеристики
|
||||
| Центральная длина волны | 1300 | 1310 | 1320 | нм |
| Ширина спектра | - | 0,3 | - | нм |
| Пороговый ток | - | 80 | 100 | мА |
| Рабочий ток | - | 1200 | 1500 | мА |
| Выходная оптическая мощность | 200 | 250 | 300 | мВт |
| Темновой ток ФД (VRD=5В) | - | - | 0,1 | мкА |
| Коэффициент экстинкции (для PM версии) | 17 | 20 | - | дБ |
| Тип волокна |
SMF-28E / PM |
- | ||
| Прямое напряжение | - | 1,8 | 2,5 | В |
| Сопротивление термистора | 9,5 | 10 | 10,5 | кОм |
| Температурный коэффициент термистора | - | -4,4 | - | %/°C |
| Тип коннектора |
FC/APC |
- | ||
|
Абсолютные предельные значения
|
||||
|
Температура корпуса
|
-5 | +25 | +70 |
°С |
|
Температура чипа
|
+10 |
+25 |
+40 |
°С |
|
Рабочий ток
|
0 | 1200 | 1500 | мА |
|
Прямое напряжение
|
0,8 | 1,2 | 1,8 | В |
|
Ток TEC
|
- | 1,2 | 1,4 | А |
|
Обратное напряжение (ЛД)
|
- | - | 1,8 | В |
|
Обратное напряжение (ФД)
|
- | - | 10 | В |
- Спектральный анализ.
- Лазерная интерферометрия.
- Лазерное зондирование.
- Иллюминация.
Мой заказ