TFLN-I-15 - амплитудный модулятор на основе кристалла

Тонкопленочный широкополосный амплитудный электрооптический модулятор на ниобате лития серии TFLN на основе кристалла с высоким коэффициентом экстинкции.
  • Рабочая длина волны 1550 нм. 
  • Полоса модуляции до 67 ГГц.
  • Вносимые потери ≤5.0 дБ. 
  • Малый размер корпуса.

Модулятор интенсивности из ниобата лития TFLN-I-13 на основе кристалла - это  преобразовательное устройство, обладающее непревзойденной производительностью. Устройство оснащено термооптическим интерфейсом управления смещением и изготовлено с использованием передовых технологий связи и микроэлектроники, что обеспечивает высокую эффективность оптико-электрического преобразования на TFLN-I-13 на основе кристалла. По сравнению с другими модуляторами на основе ниобата лития наши устройства обеспечивают превосходные характеристики в отношении полуволнового напряжения, стабильности и размера устройства, что значительно повышает производительность цифровых оптических систем связи и телекоммуникационных сетей. Модуляторы TFLN-I-13 на основе кристалла имеют низкое полуволновое напряжение и стабильные физические и химические характеристики благодаря использованию специальной технологии для получения высокого коэффициента экстинкции.

Особенности:

  • Коэффициент экстинкции более 20 дБ.
  • Высокая линейность.
  • Широкая полоса электро-оптической модуляции до 67 ГГц.
  • Высокая стабильность.
  • Низкие вносимые потери.

Электрические характеристики

 Параметр  Значение  Ед. измерения
Электро-оптическая полоса
20  50  67    ГГц   
РЧ обратные потери  ≤-10 дБ
Vp РЧ @50 кГц
2,5 (макс.)
2,0 (ср.)
В
РЧ нагрузка
50±5  Ом
Heater resistance
80±10  Ом

Оптические характеристики

 Параметр  Значение   Ед. измерения
Рабочая длина волны
~ 1310 нм
Коэффициент экстинкции DC
≥20 дБ
Коэффициент поляризационной экстинкции DC  ≥25 дБ
Вносимые оптические потери
≤ 5,0
дБ
Обратные оптические потери
≤-27  дБ
Диаметр модового поля 9 мкм 

Предельно допустимые параметры

 Параметр  Мин.  Макс.  Ед. измерения
 Входная ВЧ мощность - 23  дБм
 Напряжение смещения
-4,465 +4,465  В
Напряжение смещения нейтрали
- 4,0  В
 Температура хранения
-40 +85  °C
 Относительная влажность  5 90  %

  • Генератор оптических импульсов.
  • Датчики на основе рассеяния Бриллюэна.
  • Лазерный радар.

Модель Описание
TFLN-I-15-20 Амплитудный модулятор на основе кристалла. Длина волны 1550 нм. Электро-оптическая полоса 20 ГГц.
TFLN-I-15-50 Амплитудный модулятор на основе кристалла. Длина волны 1550 нм. Электро-оптическая полоса 50 ГГц.
TFLN-I-15-67 Амплитудный модулятор на основе кристалла. Длина волны 1550 нм. Электро-оптическая полоса 67 ГГц.
Назад к разделу

Мой заказ