ГлавнаяКаталогЛазерные диоды. Диоды накачки. ДрайверыЛазерные диоды с резонатором Фабри-ПероЛазерные диоды накачки с резонатором Фабри-Перо, 785 - 1490 нмDG-HS02 - 980 нм лазерные диоды накачки

DG-HS02 - 980 нм лазерные диоды накачки

DG-HS02 - серия лазерных диодов накачки.

Центральная длина волны от 974 / 976 нм.
Выходная мощность до 1000 мВт.
Встроенный TEC, термистор и ФД.
Тип волокна SM/PM.

Производитель: DOGAIN

Узнать цену

Задать вопрос

Одномодовые лазерные диоды накачки серии HS02 с длиной волны 980 нм оснащены чипами собственной разработки, которые проходят тщательный отбор для обеспечения высокой производительности и надежности. 14-контактный герметичный корпус типа "бабочка" обеспечивает стабильную выходную мощность свыше 1000 мВт. Лазерные диоды HS02 включают термоэлектрический охладитель (TEC), прецизионный термистор NTC и фотодиод для мониторинга обратной оптической мощности. Надежность и герметичность этих устройств полностью соответствуют требованиям стандарта связи Telcordia GR-468-CORE.

Особенности:

Максимальная выходная мощность 1100 мВт без перегибов в зависимости мощности от тока (kink-free).
Корпус 14-pin «бабочка».
Диапазон рабочих температур от -20°C до +75°C.
Высокоэффективный контроль температуры TEC (Ts=25°C).
Стабилизация длины волны с помощью волоконной брэгговской решетки (FBG).
Уникальная технология муфтового соединения.
Возможность выбора одномодового волокна, волокна с сохранением поляризации, а также FC/PC разъемов.
Надежность в соответствии стандартам Telcordia GR-468-CORE.

Параметр	Условия тестирования	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. измерения
Абсолютные предельные значения
Прямой ток ЛД (I_f)				2	А
Обратное напряжение ЛД (V_r)				2	В
Обратный ток ЛД (I_r)				10	мкА
Обратное напряжение ФД (V_PD)				25	В
Прямой ток ФД (I_PF)				10	мА
Электростатический разряд ЛД (V _{ESD LD})	C = 100 пФ, R = 1,5 кОм, HBM			1000	В
Электростатический разряд ФД (V _{ESD PD})	C = 100 пФ, R = 1,5 кОм, HBM			700	В
Рабочая температура корпуса (T_op)		-20		+75	°C
Рабочая температура FBG (T_FBG)		-20		+75	°C
Рабочая относительная влажность (RH_op)	Без конденсации	5		95	%
Относительная влажность при хранении (RH_stg)		5		95	%
Температура хранения (T_stg)	2000 часов	-40		+85	°C
Время пайки свинца	300°C			10	с
Осевое усилие на растяжение	3x10 с			5	Н
Боковое усилие на растяжение	3x10 с			2,5	Н
Радиус изгиба волокна		25			мм
Параметры длины волны
Центральная длина волны	HS02-74xx-xxx-xx	973	974	975	нм
Центральная длина волны	HS02-76xx-xxx-xx	975	976	977	нм
Характеристики волокна HI 1060
Длина волны отсечки		920			нм
Максимальное затухание на 980 нм		2,1			дБ/км
Наружный диаметр оболочки		125±1			мкм
Наружный диаметр покрытия		245±10			мкм
Концентричность сердцевины и оболочки		≤0,5			мкм
Диаметр модового поля		5,9±0,3			мкм
Технические характеристики
Пороговый ток (I_th)				85	мА
Выходная оптическая мощность (P_f)		10		1000	мВт
Максимальная выходная мощность kink-free (P_max)	I_f = I_max			1100	мВт
Рабочий прямой ток (I_op)	Постоянный ток для поддержания выходной мощности P_op			1650	мА
Прямое напряжение (V_f)	I_f = I_op			2,0	В
Ширина спектра (Δλ_RMS)	50 мВт < P_f < P_op			0,5	нм
Центральная длина волны излучения(λ_m)	В диапазоне P_f	973,0		975,0	нм
Центральная длина волны излучения(λ_m)	В диапазоне P_f	975,0		977,0	нм
Стабильность длины волны (λ_stab)	В диапазоне P_op			0,5	нм
Мощность накачки (P_pump)	Диапазон накачки = λ_c ± 1,5 нм, 30 мВт < P_f < P_op	90			%
Мощность накачки (P_pump)	Диапазон накачки = λ_c ± 1,5 нм, P_min < P_f < 30 мВт	80			%
Перестройка длины волны по температуре (Δλ/T)	I_f = I_op			0,01	нм/°C
Стабильность оптической мощности (ΔP_f)	DC 50 кГц, время 60 с, P_op = 20 мВт			4	%
Отклик контрольного диода (R_m)	При Pop, V_PD = -5 В	1		10	мкА/мВт
Темновой ток контрольного диода (I_dark)	Напряжение обратного смещения 5 В во всем температурном диапазоне			300	нА
Сопротивление термистора (R_th)	T_set = 25°C	9,5		10,5	кОм
Постоянная термистора (β)		3600		4200	К
Изменение сопротивления термистора (ΔR_th)	Относительно начального значения	-5		+5	%
Ток TEC (I_TEC)		-1		4,1	А
Напряжение TEC (BOL/EOL) (V_TEC)				4,5	В

DWDM системы.
Малошумящие эрбиевые усилители (EDFA).
Источники накачки сверхбыстрых лазеров.
Накачка ASE-источников.
CATV.

DG-HS02 - 980 нм лазерные диоды накачки 890.66(Kб)

Корпус	Длина волны	Рабочая температура	Оптическая мощность	Тип волокна
HS02: корпус 14-pin «бабочка»	74: 974 нм 76: 976 нм	25: 25°C 45: 45°C	300: 300 мВт 400: 400 мВт 500: 500 мВт 600: 600 мВт 700: 700 мВт 800: 800 мВт 900: 900 мВт 1000: 1000 мВт	S1: SM D2: PM

Модель	Описание
DG-HS02-7425-500-S1	Лазерный диод, корпус 14-pin, длина волны 974 нм, рабочая температура 25°C, оптическая мощность 500 мВт, SM волокно.
DG-HS02-XXXX-XXX-XX	Лазерный диод. Требуется указать параметры.