ГлавнаяКаталогЛазерные диоды. Диоды накачки. ДрайверыЛазерные диоды с распределенным брэгговским отражателем (DBR)Перестраиваемые DBR лазерные диоды ИК диапазона, 1530 - 1580 нмPL-DBR-1570 - 1560-1570 нм перестраиваемый DBR лазерный диод
PL-DBR-1570 - 1560-1570 нм перестраиваемый DBR лазерный диод
Лазерный диод PL-DBR-1570 с распределенным брэгговским отражателем (DBR) от компании LD-PD (Сингапур)
- Центральная длина волны 1565 нм.
- Выходная мощность до 50 мВт.
- Диапазон перестройки до 8 нм.
- Скорость перестройки 10 мс.
- Корпус 14-pin «бабочка».
Производитель: LD-PD
Лазерный диод PL-DBR-1570 с распределенным брэгговским отражателем (DBR) от компании LD-PD (Сингапур) представляет собой одночастотный лазерный диод, который идеально подходит для малошумящей накачки, генерации второй гармоники и флуоресцентной спектроскопии с временным разрешением, а также для оптоволоконных датчиков.
PL-DBR-1570 имеет встроенный оптический изолятор, термоэлектрический охладитель (TEC), термистор и контрольный фотодиод. ЛД имеет 14-pin корпус типа «бабочка» с одномодовым оптическим волокном SMF-28E и разъемом FC/APC.
Особенности:
- Высокая выходная оптическая мощность.
- Настраиваемая центральная длина волны.
- Быстрая перестройка длины волны.
- Диапазон перестройки длины волны может охватывать до 20-25/40-50 каналов ITU.
- Высокий коэффициент подавления боковых мод.
- Корпус 14-pin «бабочка».
- Встроенный термоэлектрический охладитель (TEC), термистор и контрольный фотодиод.
- Узкая ширина спектральной линии 3 МГц.
- Оптоволоконный SM или PM с FC/APC коннектором с узким ключом 2,0 мм.
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|
| Выходная оптическая мощность | 30 | 40 | - | мВт |
| Центральная длина волны (настраиваемая) | 1560 | 1565 | 1570 | нм |
| Диапазон перестройки | 6 | 8 | - | нм |
| Скорость перестройки | - | - | 10 | мс |
| Ширина спектральной линии | - | 3 | - | МГц |
| Скорость прямой РЧ модуляции | - | 10 | - | Гб/с |
| Пороговый ток | - | 40 | - | мА |
| Коэффициент поляризационной экстинкции | 20 | - | - | дБ |
| SMSR | 40 | 50 | - | дБ |
| RIN | - | - | -135 | дБ/Гц |
| Температура чипа | 10 | 25 | 40 | °С |
| Рабочий диапазон температур | -5 | - | +75 | °С |
| Температура хранения | -40 | - | +85 | °С |
Абсолютные максимальные значения
|
|
Диапазон рабочих токов, CW |
Абсолютные максимальные значения |
|
|---|---|---|---|
|
Ток |
Напряжение |
||
| Усиление | 100 - 250 мА | 350 мА | 2 В |
| Перестройка решетки | 0-90 мА | 120 мА | 2 В |
| Перестройка фазы | 0-5 мА | 10 мА | 2 В |
- Оптические системы связи.
- Лазерное зондирование.
- Спектроскопия высокого разрешения.
- Оптическая метрология и датчики.
- Волоконные усилители.
- Нелинейное преобразование частоты.
- Лазерное охлаждение и захват.
- Оптическая связь в свободном пространстве (Free Space).
Мой заказ