Обновление раздела фотодетекторов – новые возможности для Ваших проектов!

07.06.2024

Представляем Вашему вниманию обновленный раздел «Фотоприемные модули»! Теперь Вы сможете найти всё необходимое для своих проектов, связанных с оптикой и фотоникой. В этой статье мы расскажем об особенностях и преимуществах фотодетекторов от OPEAK и других производителей.

Фотоприемные модули – это устройства, предназначенные для преобразования оптической мощности в электрический сигнал. Они включают в себя детекторы на основе кремния (Si) или арсенида галлия-индия (InGaAs) для регистрации сигналов, а также электронные схемы для их обработки. Для повышения чувствительности в конструкцию могут быть интегрированы усилители.

В нашем онлайн-каталоге представлены различные виды модулей фотодетекторов от ведущих производителей, среди которых компания OPEAK.

Компания OPEAK (Tianjin Junfeng Technology Co., Ltd.) специализируется на разработке и производстве оптоволоконных коммуникационных систем, волоконно-оптических сенсоров и комплектующих. Сотрудничество с передовыми лабораториями и институтом лазерных технологий способствует развитию мощной научно-исследовательской базы в области оптоэлектроники. Линейка продукции производителя также включает высококачественные фотодетекторы для разнообразных применений.

Области применения фотоприемных модулей

• Оптоволоконная связь, зондирование и дальнометрия (LIDAR).
• Детектирование излучения от видимого света до ближнего инфракрасного.
• Оптические волоконные датчики.
• Анализ амплитудно-фазовых характеристик пико- и наносекундных оптических импульсов.
• Обнаружение слабых сигналов.
• Оптические системы тестирования и измерения.
• Обнаружение газа.
• Обнаружение импульсного света.
• Распределенная волоконно-оптическая система измерения температуры (DTS).
• Оптический рефлектометр.
• Измерение чувствительности оптического волокна.
• Абсорбционная спектроскопия.

Виды фотоприемных модулей

Модули PIN фотодетекторов с усилителем

Этот тип фотодетекторов основан на полупроводниковой PIN-структуре, в которой между слоями p и n находится слой нелегированного полупроводника. В модули встроен усилитель, благодаря чему устройства эффективны даже при работе со слабыми сигналами. Модули PIN фотодетекторов с усилителем характеризуются низким уровнем шума, малым темновым током, высоким коэффициентом усиления и стабильностью характеристик во времени.

Основные характеристики:

• Материал Si или InGaAs.
• Диапазон длин волн от 320 до 1700 нм.
• Полоса пропускания от 50 кГц до 5 ГГц.
• Волоконный или пространственный ввод излучения.

Ознакомьтесь с нашими фотодетекторами с регулируемым усилением от OPEAK по ссылкам ниже:

		PD-M-TBPIN-SW-150M	PD-M-TBPIN-LW-150M
	Материал	Si	InGaAs
	Диапазон длин волн	400 - 1100 нм	1100 - 1700 нм
	Полоса пропускания	0,1 - 150 МГц
	Усиление преобразования	0,3*103 - 0,3*107 В/А	0,6*103 - 0,6*107 В/А

Модули лавинных (APD) фотодетекторов

Данные устройства используют эффект лавинного умножения для внутреннего усиления сигнала. На практике такие фотодетекторы обладают высокой эффективностью и низкой частотой темнового счета (характеристика, аналогичная темновому току). Это гарантирует более высокую чувствительность и меньший уровень шума, чем у стандартных PIN-детекторов, что делает модули лавинных фотодетекторов оптимальным решением для работы с маломощными сигналами.

Основные характеристики:

• Материал Si или InGaAs.
• Диапазон длин волн от 300 до 1700 нм.
• Полоса пропускания от 50 кГц до 5 ГГц.
• Волоконный или пространственный ввод излучения.
• Встроенная схема температурной компенсации.
• Высокая чувствительность.

Мы также предлагаем двухканальный модуль лавинного детектора для распределенного оптоволоконного измерения температуры:

		DTS-APD-100M
	Материал	InGaAs
	Диапазон длин волн	1000 - 1700 нм
	Полоса пропускания	100 МГц
	Способ ввода излучения	Волоконный (через интерфейс FC)

Модули балансных фотодетекторов

Балансные (или дифференциальные) фотодетекторы состоят из двух фотодиодов, работающих вместе, и предназначены для определения малых различий в оптической мощности между двумя входящими оптическими сигналами, одновременно эффективно подавляя общие флуктуации этих сигналов. Такие устройства имеют линейную частотную характеристику и оптимальны для высокомощных применений.

Основные характеристики:

• Материал Si или InGaAs.
• Диапазон длин волн от 400 до 1700 нм.
• Полоса пропускания от 100 кГц до 2,5 ГГц.
• Волоконный или пространственный ввод излучения.
• Высокий коэффициент ослабления синфазного сигнала.

Ниже представлены балансные детекторы с регулируемым коэффициентом усиления от OPEAK:

		PDB-M-TBPIN-SW-150M	PDB-M-TBPIN-LW-150M
	Материал	Si	InGaAs
	Диапазон длин волн	400 - 1100 нм	1100 - 1700 нм
	Полоса пропускания	0,1 - 150 МГц
	Усиление преобразования	0,3*103 - 0,3*107 В/А	0,6*103 - 0,6*107 В/А

А также балансные APD детекторы с регулировкой усиления:

		BPD570C-400M
	Материал	InGaAs
	Диапазон длин волн	1000 - 1700 нм
	Полоса пропускания	400 МГц
	Коэффициент лавинного умножения (M-фактор)	8 - 18

Модули фотодетекторов со смещением

Особенностью этого вида фотодетекторов является наличие заранее установленного смещения напряжения, благодаря которому они способны регистрировать самые слабые изменения светового излучения. Устройства характеризуются высокой скоростью работы и подходят для обнаружения импульсных сигналов.

Основные характеристики:

• Материал Si или InGaAs.
• Диапазон длин волн от 320 до 2600 нм.
• Полоса пропускания от 20 МГц до 5 ГГц.
• Волоконный или пространственный ввод излучения.

Для работы в длинноволновом диапазоне у нас появилась новая серия фотодетекторов:

		PDLX
	Материал	InGaAs
	Диапазон длин волн	900 - 2600 нм
	Полоса пропускания	200 МГц
	Время нарастания	До 1,8 с

Если Вам не удалось найти фотодетектор с необходимыми характеристиками, их можно изменить по Вашему запросу.

Компания «Специальные Системы. Фотоника» является официальным дистрибьютором и оказывает техническую поддержку по всей линейке продукции на территории России и ЕАЭС. Обращайтесь к нам уже сегодня и получите подробную консультацию по выбору оптимального решения для Ваших задач.

Возврат к списку