ГлавнаяКаталогЛазерные диоды. Диоды накачки. ДрайверыЛазерные диоды с распределенной обратной связью (DFB)DFB лазерные диоды, 760 - 986 нмPL-DFB-770 - 770 нм DFB лазерные диоды
PL-DFB-770 - 770 нм DFB лазерные диоды
PL-DFB-770 - серия DFB лазерных диодов в корпусе 14-pin "бабочка" с центральной длиной волны 770 нм.
- Центральная длина волны 770 нм.
- Ширина спектральной линии <2 МГц.
- Выходная мощность 30 или 50 мВт.
- Корпус 14-pin "бабочка".
- Тип волокна SM, PM.
Производитель: LD-PD
DFB лазерные диоды серии PL-DFB-770 представляют собой источники когерентного излучения с центральной длиной волны 770 нм. DFB чип лазерного диода упакован в стандартный герметичный корпус 14-pin "бабочка" со встроенными TEC и PD.
Особенности:
- Узкая ширина спектральной линии <2 МГц.
- Превосходный контроль длины волны и высокая стабильность.
- Возможность регулировки длины волны без скачков мод.
- Высокая надежность.
Спектр:
Перестроечная характеристика:
График зависимости выходной мощности от тока:
Электрические/оптические характеристики
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|
|
Центральная длина волны
|
769 | 770 | 771 | нм |
|
SMSR
|
40 | 50 | 70 | дБ |
| Степень изоляции | 28 | 30 | - | дБ |
|
Пороговый ток
|
- | 50 | 70 | мА |
|
Рабочий ток
|
- | 150 | 250 | мА |
|
Мощность в волокне
|
30 | 40 | 50 | мВт |
|
Квантовая эффективность
|
0,08 | 0,12 | - | мВт/мА |
|
Коэффициент перестройки током
|
- | 0,001 | - | нм/мА |
|
Коэффициент перестройки температурой
|
- | 0,06 | - | нм/°С |
|
Прямое напряжение
|
- | 1,3 | 2 | В |
|
Сопротивление термистора
|
9,5 | 10 | 10,5 | кОм |
|
Температурный коэффициент термистора
|
- | -4,4 | - | %/°С |
|
Тип волокна
|
SM, PM | - | ||
|
Тип волокна+коннектор
|
HI780+FC/APC/PM780+FC/APC | - | ||
Абсолютные предельные значения
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|
|
Температура корпуса
|
-5 | +25 | +70 |
°С |
|
Температура чипа
|
+10 |
+25 |
+50 |
°С |
|
Рабочий ток
|
0 | 150 | 250 | мА |
|
Прямое напряжение
|
0,8 | 1,2 | 2,1 | В |
|
Ток TEC
|
- | 1,2 | 1,2 | А |
|
Обратное напряжение (ЛД)
|
- | - | 2,0 | В |
| Обратное напряжение (ФД) | - | - | 20 | В |
- Диодно-лазерная абсорбционная спектроскопия (TDLAS).
- Применение эффекта когерентного пленения населенности (coherent population trapping, CPT).
PL-DFB-770 - 770 нм DFB лазерный диод 702.02(Kб)
Мой заказ