PL-DFB-808-A-A81 - 808 нм DFB лазерный диод
- Центральная длина волны 808 нм.
- Ширина спектральной линии <2 МГц.
- Выходная мощность 60 мВт.
- Подавление боковых мод (SMSR) ≥30 дБ.
- Корпус 14-pin «бабочка».
- Встроенные TEC и мониторный фотодиод.
- Оптический разъём FC/APC.
Лазерный диод PL-DFB-808-A-A81 представляет собой высококогерентный источник лазерного излучения с центральной длиной волны 808 нм. Лазерный DFB-чип установлен в стандартный герметичный 14-контактный корпус типа «бабочка», оснащённый встроенным термоэлектрическим охладителем TEC и мониторным фотодиодом PD.
Использование распределённой обратной связи обеспечивает узкую спектральную линию менее 2 МГц, высокий уровень подавления боковых мод и стабильность рабочей длины волны. Диод поддерживает плавную перестройку длины волны посредством изменения рабочего тока и температуры без скачков между продольными модами.
Типичная выходная оптическая мощность составляет 60 мВт, а центральная длина волны находится в диапазоне 807–809 нм. Коэффициент перестройки длины волны током составляет около 0,015 нм/мА, температурой - около 0,12 нм/К.
Особенности:
- Узкая ширина спектральной линии <2 МГц.
- Центральная длина волны 808 нм.
- Высокая стабильность и точность поддержания длины волны.
- Подавление боковых мод (SMSR) ≥30 дБ.
- Выходная мощность 60 мВт.
Измерение ширины спектральной линии:
Вольт-амперная и ватт-амперная характеристики:
*Габаритные размеры и назначение выводов написаны в документации к прибору.
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. измерения |
|---|---|---|---|---|
| Электрические/оптические характеристики | ||||
| Центральная длина волны | 807 | 808 | 809 | нм |
| SMSR | 30 | 40 | - | дБ |
| Пороговый ток | - | 47,5 | 80 | мА |
| Рабочий ток | - | 200 | 250 | мА |
| Выходная мощность | 58 | 60 | 62,5 | мВт |
| Рабочая температура | 15 | 25 | 50 | °С |
| Квантовая эффективность | 0,08 | 0,12 | - | мВт/мА |
| Коэффициент перестройки током | - | 0,015 | - | нм/мА |
| Коэффициент перестройки температурой | - | 0,12 | - | нм/К |
| Коэффициент экстинкции поляризации | 18 | 36,5 | - | дБ |
| Прямое напряжение | - | 1,3 | 2 | В |
| Сопротивление термистора | 9,5 | 10 | 10,5 | кОм |
| Температурный коэффициент термистора | - | -4,4 | - | %/°С |
| Тип волокна | SM, PM | - | ||
| Коннекторы | FC/APC | - | ||
| Абсолютные предельные значения | ||||
| Температура корпуса | -5 | 25 | 70 | °С |
| Температура чипа | +10 | 25 | 30 | °С |
| Рабочий ток | 0 | 200 | 250 | мА |
| Прямое напряжение | 0,8 | 1,2 | 2,0 | В |
| Ток TEC | - | - | 3 | А |
| Напряжение TEC | - | - | 4 | В |
| Обратное напряжение (ЛД) | - | - | 2,0 | В |
| Обратное напряжение (ФД) | - | - | 20 | В |
- Диодно-лазерная абсорбционная спектроскопия.
- В качестве задающего лазера.
- В составе волоконных лазерных систем.
