Диодные (полупроводниковые) лазеры
Полупроводниковые лазеры с центральной длиной волны от 360 до 397 нм. Выходная оптическая мощность от 1 до 300 мВт. Ширина спектральной линии до 0,03 нм. Модели с высокой стабильностью выходной мощности, модели со стабилизированной с помощью VBG длиной волны.
Подробнее
Полупроводниковые лазеры с центральной длиной волны 400 нм, 405 нм, 410 нм. Выходная оптическая мощность от 1 до 500 мВт. Ширина спектральной линии до 0,03 нм. Модели с высокой стабильностью выходной мощности, модели со стабилизированной с помощью VBG длиной волны.
Подробнее
Полупроводниковые лазеры с центральной длиной волны 442 нм, 445 нм, 447 нм, 450 нм, 460 нм, 462 нм, 473 нм. Выходная оптическая мощность от 1 мВт до 10 Вт. Ширина спектральной линии до 0,03 нм. Модели с высокой стабильностью выходной мощности. Модели с использованием нескольких излучающих диодов.
Подробнее
Полупроводниковые лазеры с центральной длиной волны 480 нм, 488 нм, 491 нм. Выходная оптическая мощность от 1 до 150 мВт. Ширина спектральной линии до 0,03 нм. Модели с высокой стабильностью выходной мощности, модели со стабилизрованной с помощью VBG длиной волны.
Подробнее
Полупроводниковые лазеры с центральной длиной волны 510 нм, 515 нм, 520 нм, 522 нм, 532 нм. Выходная оптическая мощность от 1 мВт до 1 Вт. Ширина спектральной линии до 0,03 нм. Модели с высокой стабильностью выходной мощности. Модели с использованием нескольких излучающих диодов. Модели с акустооптической модуляцией интенсивности.
Подробнее
Полупроводниковые лазеры с центральной длиной волны 637 нм, 640 нм, 655 нм, 680 нм, 685 нм, 730 нм, 750 нм. Выходная оптическая мощность от 1 мВт до 1,5 Вт. Ширина спектральной линии до 0,03 нм. Модели с высокой стабильностью выходной мощности. Модели с использованием нескольких излучающих диодов. Модели с акустооптической модуляцией интенсивности.
Подробнее
Полупроводниковые лазеры с центральной длиной волны 785 нм, 793 нм, 805 нм, 830 нм, 850 нм, 885 нм, 940 нм, 980 нм, 1450 нм, 1550 нм. Выходная оптическая мощность от 1 мВт до 5 Вт. Ширина спектральной линии до 0,03 нм. Амплитудные шумы <1%. Модели с высокой стабильностью выходной мощности. Модели со стабилизацией длины волны до ±5 пм. Расходимость менее 1 мрад.
Подробнее
Диодные лазеры – твердотельные лазеры, изготовленные из полупроводниковых материалов. Ключевыми особенностями полупроводниковых лазеров является малый размер (порядка нескольких сотен микрон), высокая эффективность и низкая стоимость. Диодные лазеры также удобны в использовании благодаря низкому значению порогового тока – генерация в некоторых полупроводниках начинается от 0,03 А.
Накачка диодных лазеров осуществляется непосредственно с помощью электрического тока, проходящего через прибор. Для создания необходимого условия лазерной генерации – инверсии населенности – реализуется подача напряжения на полупроводниковый диод. Напряжение смещения обычно лежит в диапазон от 1,2 до 2 вольт.
Благодаря небольшим размерам, высокой эффективности генерации и очень недорогой стоимости диодные лазеры нашли широкое применение в следующих областях:
- Телекоммуникации;
- Медицина;
- Лазерная накачка;
- Измерительное оборудование;
- Спектроскопия;
- Бытовые применения и др.
Существуют следующие типы диодных лазеров:
- На брэгговских решетках – полупроводниковые лазеры, в которых объемные дифракционные (брэгговские) решетки использованы в качестве зеркал резонаторов. Основным преимуществом таких лазеров является отличная стабильность излучения (до 1 пм) и относительно узкая ширина спектральной линии (1 – 2 нм).
- Лазеры с узкой спектральной линией – диодные лазеры с шириной спектральной линии порядка 10 пм. Хорошо подходят для высокоточных волоконных систем мониторинга (датчики температуры, давления, и т. д.).
- Лазеры с низким уровнем шума – излучатели, относительный фазовый и амплитудный шум в которых ограничен значением 1%. Такие лазеры идеально подойдут для спектральных, микроскопических и других научных измерений.
- Стандартные лазеры – диодные лазеры, подходящие для широкого спектра задач.
Фильтр
Мой заказ