S2P-iMLE-HP - установка цифровой безмасковой фотолитографии для высокопроизводительной линии
- Три режима записи (Ultra-R, Ultra-Standard и Ultra-S) переключаются одним нажатием.
- Векторный режим обрабатывает структуры без ограничения полем записи объектива.
- Автофокусировка с точностью позиционирования ≤ 10 нм и диапазоном компенсации 180 мкм.
- Наклон и неровности поверхности подложки корректируются автоматически.
- Полутоновое экспонирование до 1024 уровней серого.
- Поддерживаются форматы STL, DXF, GDSII и BMP.
S2P-iMLE-HP — высокопроизводительная установка безмасковой УФ-литографии для наукоемких и промышленных применений. Сочетание передовых методов сверхскоростной обработки, собственных алгоритмов и высокопроизводительной аппаратной части обеспечивает повышенную точность совмещения, сшивки полей и слоев. Высокие скорость записи и разрешение позволяют решать задачи быстрой и точной обработки. Интегрированная конструкция и полностью автоматическое управление делают установку простой в эксплуатации. Она работает с подложками размером до 12 дюймов и широко применяется в микрофлюидике, полупроводниковой промышленности, биотехнологиях и микроэлектронике.
Принцип цифровой литографии основан на использовании пространственного модулятора света (ПМС) вместо традиционных фотошаблонов. Программное обеспечение передает данные о требуемой топологии на матрицу ПМС, которая воспроизводит ее в виде распределения черных и белых пикселей. Коллимированный источник освещает ПМС, и на поверхности подложки формируется световое изображение, соответствующее заданной топологии. Обработка больших площадей выполняется за счет управляемого перемещения столика с образцом. По производительности безмасковая литография с использованием ПМС значительно превосходит традиционную.
Для установок литографии с ПМС не требуются фотошаблоны, а процесс формирования изображения полностью управляется компьютером. Цифровой виртуальный шаблон легко изменить, что существенно упрощает традиционный литографический процесс, снижает затраты, сокращает производственный цикл и позволяет гибко адаптировать топологию под конкретные требования.
Особенности:
- Подходит для серийного производства и промышленных применений.
- Несколько режимов обработки — от нанометрового до десятков микрометров — для оптимального сочетания точности и скорости.
- Высокая точность совмещения слоев и сшивки полей; возможна обработка без сшивки.
- Быстрая и простая процедура совмещения для изготовления 2D/2,5D микро- и наноструктур, предварительный просмотр топологии и компенсация погрешности совмещения.
- Автоматическая компенсация наклона подложки, автофокусировка и система долговременной стабилизации процесса.
- Полутоновое экспонирование и полностью автоматическая система визуального управления процессом с графическим языком программирования.
- Большая рабочая область для подложек разного размера, автоматизированный вакуумный столик, расширение функций за счет опциональных модулей.
Сравнение безмасковой литографии и литографии с фотошаблоном
| Параметр | Значение | Ед. измерения | ||
|---|---|---|---|---|
| Модель | Ultra-R | Ultra-Standard | Ultra-S | |
| Рабочие характеристики по режимам записи # | ||||
| Минимальный размер элемента* | 0,3 | 1 | 5 | мкм |
| Минимальная ширина линий и промежутков (L/S)* | 0,5 | 1 | 5 | мкм |
| Шероховатость края (3σ)* | 0,02 | 0,06 | 0,15 | мкм |
| Точность совмещения (3σ)* | 0,1 | 0,25 | 0,8 | мкм |
| Максимальная скорость экспонирования* | 50 | 1100 | 3300 | мм²/мин |
| Функциональные системы | ||||
| Источник излучения (светодиод / лазер) | 365 / 375 / 405 | нм | ||
| Нанопозиционирующий столик | На аэростатических подшипниках или механический; диапазон перемещения > 50 × 50 (опционально 100 × 100 / 150 × 150 / 200 × 200 / 300 × 300) | мм | ||
| Режим векторной записи | Цифровая микрозеркальная матрица (DMD) / ПМС + векторное сканирование | – | ||
| Размер подложки | От 5 × 5 мм до 12 × 12 дюймов | – | ||
| Толщина подложки | 0–12 | мм | ||
| Максимальная площадь экспонирования | 300 × 300 | мм | ||
| Система автофокусировки | Автоматическое обнаружение границы начальной фокусировки и позиционирование по ней с точностью ≤ 10 | нм | ||
| Диапазон компенсации автофокусировки | 180 | мкм | ||
| Автоматическое переключение режимов | Переключение в реальном времени между режимами с разной скоростью и точностью обработки | – | ||
| Система автоматической калибровки | Автоматическая коррекция наклона и неровностей поверхности подложки | – | ||
| Система визуализации высокой четкости | Визуализация в реальном времени и прецизионные измерения | – | ||
| Система предварительного просмотра с индикаторной подсветкой | Предварительный просмотр топологии и высокоточное позиционирование при совмещении слоев | – | ||
| Система стабилизации энергии лазера | Автоматическая компенсация колебаний энергии лазера для поддержания постоянной энергии и стабильного результата обработки | – | ||
| Вакуумный столик | Совместим с подложками из разных материалов и разных размеров | – | ||
| Полутоновое экспонирование | 128 / 256 / 1024 уровня серого | – | ||
| Векторный режим обработки | Обработка без ограничения полем записи объектива; бесшовная высокоточная обработка криволинейных структур | – | ||
| Интерактивный помощник при совмещении слоев ## | Интерактивные подсказки при совмещении слоев | – | ||
| Система климат-контроля ## | ± 0,1 (при стабильности температуры окружающей среды ± 1) | °C | ||
| Автоматическое совмещение ## | Автоматическое распознавание меток совмещения для высокоточного совмещения | – | ||
| Отслеживание границы раздела ## | Мониторинг и управление позиционированием относительно границы раздела в реальном времени | – | ||
| Программное обеспечение | Полностью автоматизированное программное обеспечение собственной разработки для управления литографией с преобразованием векторных данных в растровые | – | ||
| Поддерживаемые форматы файлов | STL, DXF, GDSII, растровые точечные изображения, полутоновые изображения, BMP | – | ||
| Габариты и масса ** | ||||
| Размеры (Д × Ш × В) | ≤ 1200 × 1450 × 1650 | мм | ||
| Масса | ≤ 1500 | кг | ||
| Требования к установке | ||||
| Электропитание | 220 / 10 / 50 | В / А / Гц | ||
| Сжатый воздух | 6–8, стабильность ± 0,5 | бар | ||
| Освещение помещения | Желтое | – | ||
* Значения могут отличаться в зависимости от фоторезиста, объектива и изготавливаемой структуры.
** Характеристики зависят от условий конкретного процесса и могут меняться в зависимости от комплектации оборудования. Конструкция и характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.
# В одной установке предусмотрено переключение между режимами записи одним нажатием.
## Дополнительные функции.
- Микрофлюидика.
- Полупроводниковая. промышленность.
- Биотехнологии.
- Микроэлектроника.
