S2P-iM-LE-S - установка цифровой безмасковой фотолитографии для умной лаборатории
Серия S2P-iM-LE-S предназначена для лабораторных исследований и быстрого прототипирования. Локальная точность совмещения в режиме Nano составляет 0,25 мкм, площадь экспонирования достигает 200 × 200 мм.
- Три режима записи (Nano, Standard и X) переключаются одним нажатием.
- Векторный режим обрабатывает структуры без ограничения полем записи объектива.
- Автофокусировка с точностью позиционирования ≤ 10 нм и диапазоном компенсации 180 мкм.
- Наклон поверхности подложки корректируется автоматически.
- Опциональное полутоновое экспонирование с 256 уровнями серого.
- Поддерживаются форматы STL, DXF, GDSII и BMP.
S2P-iM-LE-S разработана специально для лабораторных исследований и мелкосерийного производства. Компактная конструкция хорошо подходит для лабораторных помещений, а установка обеспечивает высокую скорость записи, высокое разрешение и высокую точность совмещения. Благодаря интегрированной конструкции и полностью автоматическому управлению она проста в эксплуатации и подходит для быстрого прототипирования и мелкосерийного производства. Установка широко применяется в микрофлюидике, полупроводниковой промышленности, биотехнологиях и микроэлектронике.
В отличие от традиционной литографии с фотошаблоном, в безмасочной литографии фотошаблон заменен пространственным модулятором света (ПМС). Программное обеспечение передает данные о требуемой топологии на матрицу ПМС, которая преобразует проектную топологию в пиксельное изображение. Каждый пиксель проецируется оптической системой на фоторезист, а топология большой площади формируется за счет непрерывного перемещения столика по осям XY.
Применение ПМС значительно повышает производительность литографии по сравнению с традиционными методами. Установки цифровой проекционной безмасочной литографии не требуют фотошаблонов: процесс полностью управляется компьютером, а цифровой виртуальный шаблон легко изменить. Это упрощает литографический процесс, снижает производственные затраты и позволяет гибко корректировать топологию в соответствии с реальными задачами. Установка является эффективным решением для лабораторных исследований, быстрого изготовления, макетирования и мелкосерийного производства.Особенности:
- Быстрая и простая процедура совмещения для изготовления 2D/2,5D микро- и наноструктур.
- Переключение между режимами обработки одним нажатием, включая опциональное полутоновое экспонирование.
- Предварительный просмотр топологии и компенсация погрешности совмещения.
- Автоматическая компенсация наклона подложки и автофокусировка для стабильного результата обработки.
- Полностью автоматизированная система визуального управления процессом с графическим языком программирования.
- Вакуумный столик для подложек разного размера и формы.
- Возможна в настольном и стационарном исполнении.
Сравнение безмасочной литографии и литографии с фотошаблоном
| Параметр | Значение | Ед.измерения | ||
|---|---|---|---|---|
| Модель | Nano | Sandard | X | |
| Рабочие характеристики по режимам записи # | ||||
| Минимальный размер элемента* | 0,5 | 1 | 2 | мкм |
| Минимальная ширина линий и промежутков (L/S)* | 0,5 | 1,5 | 2,5 | мкм |
| Шероховатость края* | 0,02 | 0,08 | 0,1 | мкм |
| Точность совмещения (локальная) | 0,25 | 0,25 | 0,4 | мкм |
| Максимальная скорость экспонирования* | 40 | 90 | 400 | мм²/мин |
| Функциональные системы | ||||
| Источник излучения (светодиод / лазер) | 365 / 375 / 405 | нм | ||
| Нанопозиционирующий столик | На аэростатических подшипниках или механический; диапазон перемещения > 50 × 50 (опционально 100 × 100 / 150 × 150 / 200 × 200 / 300 × 300) | мм | ||
| Размер подложки | От 5 × 5 мм до 8 × 8 дюймов | – | ||
| Толщина подложки | 0,1–12 | мм | ||
| Максимальная площадь экспонирования | 200 × 200 | мм | ||
| Система автофокусировки | Автоматическое обнаружение границы начальной фокусировки и позиционирование по ней с точностью ≤ 10 | нм | ||
| Диапазон компенсации автофокусировки | 180 | мкм | ||
| Система предварительного просмотра с индикаторной подсветкой | Предварительный просмотр, совмещение и позиционирование топологии | – | ||
| Система автоматической компенсации наклона подложки | Автоматическая коррекция наклона поверхности подложки | – | ||
| Вакуумный столик | Совместим с подложками из разных материалов и разных размеров | – | ||
| Полутоновая экспозиция | 256 уровней серого | – | ||
| Система визуализации высокой четкости | Визуализация в реальном времени и прецизионные измерения | – | ||
| Автоматическое совмещение ## | Автоматическое распознавание меток совмещения для высокоточного совмещения | – | ||
| Система климат-контроля ## | Стабильность температуры ± 0,2 | °C | ||
| Отслеживание границы раздела | Мониторинг и управление позиционированием относительно границы раздела в реальном времени | – | ||
| Векторный режим обработки | Обработка без ограничения полем записи объектива; бесшовная высокоточная обработка криволинейных структур | – | ||
| Автоматическое переключение режимов ## | Мгновенное переключение между режимами с разной скоростью и точностью обработки | – | ||
| Программное обеспечение | ПО собственной разработки | – | ||
| Поддерживаемые форматы файлов | STL, DXF, GDSII, растровые точечные изображения, полутоновые изображения, BMP | – | ||
| Габариты и масса ** | ||||
| Размеры (Д × Ш × В) | ≤ 1200 × 1200 × 850 | мм | ||
| Масса | ≤ 500 | кг | ||
| Требования к установке | ||||
| Электропитание | 220 / 10 / 50 | В / А / Гц | ||
| Сжатый воздух | 6–8, стабильность ± 0,5 | бар | ||
| Освещение помещения | Желтое | – | ||
* Значения могут отличаться в зависимости от фоторезиста, объектива и изготавливаемой структуры.
** Характеристики зависят от условий конкретного процесса и могут меняться в зависимости от комплектации оборудования. Конструкция и характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.
# В одной установке предусмотрено переключение между режимами записи одним нажатием.
## Дополнительные функции.
- Передовые технологии корпусирования.
- Микро- и нанооптика.
- Микрофлюидные чипы.
- Производство микроэлектронных устройств.
- Изготовление фотошаблонов.
- Полупроводниковые приборы.
