ГлавнаяКаталогОптические приемники. Фотодиоды и детекторыФотодиоды и фотоприемники для ВОЛС и радиофотоникиСВЧ фотодиоды с волоконным вводом излучения (от 6 до 65 ГГц)AMPD-S - Высокоскоростной InGaAs фотодетектор с усилителем
AMPD-S - Высокоскоростной InGaAs фотодетектор с усилителем
InGaAs фотодетектор серии AMPD-S
- Диапазон рабочих длин волн от 1000 до 1650 нм
- Частотный диапазон до 12 / 19,5 ГГц
- Чувствительность 0,85 А/Вт
- Входная оптическая мощность до 10 дБм
Производитель: NEON
Серия AMPD-S представляет собой быстродействующий фотодетектор, интегрированный с широкополосным InGaAs фотодиодом и малошумящим усилителем. Длина волны отклика InGaAs PIN-фотодиода составляет от 1000 до 1650 нм. РЧ усиление малошумящего усилителя составляет 15 дБ.
AMPD-S может обеспечивать полосу пропускания до 12 ГГц и 18 ГГц. Модуль работает от напряжения питания +5 В.
Особенности:
- Широкая полоса пропускания
- Bias-T
- Низкий уровень шума
- Разъем SMA
- Малый вес менее 23 гр
- ROHS 2.0
| Параметр |
Значение |
Ед. измерения | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Диапазон длин волн |
1000 - 1650 |
нм | ||||
|
Частотный диапазон |
X - диапазон |
Ku-диапазон |
- | |||
|
Полоса пропускания |
0,3 - 12 |
0,8 - 19,5 |
ГГц | |||
|
Чувствительность (1310 нм) |
≥ 0,8 |
≥ 0,85 |
А/Вт | |||
|
Чувствительность (1550 нм) |
≥ 0,85 |
≥ 0,8 |
А/Вт |
|||
|
Амплитудная неравномерность |
≤ ± 2 |
дБ |
||||
|
Выходной VSWR |
≤ 2 |
- | ||||
| Напряжение смещения |
+3,3 ~ +9 |
В | ||||
|
Оптическая мощность насыщения |
10 |
дБм | ||||
|
РЧ усиление |
15 | дБ | ||||
|
Выходное сопротивление |
50 | Ом | ||||
|
Диапазон температуры хранения |
-55 ~ +100 |
С | ||||
| Рабочий температурный диапазон |
-40 ~ +85 |
С | ||||
- Передача аналогового сигнала на удаленные антенны
- Комплексы РЭБ с радиофотоникой.
- Линии задержки, тестирование АФАР
Мой заказ